| 功率 - 最大值： | 130W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 系列： | - |
| FET 类型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能： | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss)： | 650V |
| 制造商： | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 供应商器件封装： | I2PAK |
广东发展银行：
开户名：深圳市新思汇科技有限公司
账 号：1020 1651 601000 1651
开户行：广东发展银行深圳金谷支行
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