| 功率 - 最大值： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 系列： | - |
| FET 类型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 功能： | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）： | 100mA |
| 制造商： | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 供应商器件封装： | US6 |
广东发展银行：
开户名：深圳市新思汇科技有限公司
账 号：1020 1651 601000 1651
开户行：广东发展银行深圳金谷支行
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